具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510701455.4

申请日：

2025-05-28

公开(公告)号：

CN120786921A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

马欢

申请人：

京东方华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	公开	公开
2025-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250528

共 50 条

[1]

半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片 [P].

付兴中 ;

王川宝 ;

廖龙忠 ;

吕树海 ;

张力江 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN108364857B ,2018-08-03

[2]

具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法 [P].

马欢 .

中国专利 :CN121057274A ,2025-12-02

[3]

在半导体芯片上形成保护层的方法 [P].

张良冬 ;

郑香平 .

中国专利 :CN1125484C ,1999-10-13

[4]

一种具有复合保护层的半导体结构 [P].

王勇 .

中国专利 :CN206022345U ,2017-03-15

[5]

具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法 [P].

陈利 ;

陈彬 .

中国专利 :CN113690199A ,2021-11-23

[6]

具有集成电容的半导体芯片及其制备方法 [P].

张忠宇 .

中国专利 :CN120813033A ,2025-10-17

[7]

具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

王江波 ;

陶羽宇 .

中国专利 :CN113410361A ,2021-09-17

[8]

半导体芯片及具有该半导体芯片的叠层半导体封装 [P].

金圣敏 ;

朴昌濬 ;

韩权焕 ;

金圣哲 ;

李荷娜 .

中国专利 :CN101494207B ,2009-07-29

[9]

具有多孔单晶层的半导体芯片及其制造方法 [P].

大汤静宪 ;

滨田耕治 ;

小此木坚祐 ;

三宅秀治 ;

神月靖 ;

渡边正晴 .

中国专利 :CN100502033C ,2006-09-13

[10]

具有复合保护层的正极材料及其制备方法和应用 [P].

柴海涛 ;

方胜庭 ;

田新勇 .

中国专利 :CN117996021A ,2024-05-07

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