具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110950001.2

申请日：

2021-08-18

公开(公告)号：

CN113690199A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

陈利陈彬

申请人：

申请人地址：

361011 福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2360 H01L29423 H01L2128

代理机构：

深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728

代理人：

刘英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	公开	公开
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20210818

共 50 条

[1]

半导体功率器件和半导体功率器件的制备方法 [P].

董国全 ;

张增成 ;

曾重 ;

李永辉 ;

王艳春 .

中国专利 :CN117525130A ,2024-02-06

[2]

槽栅半导体功率器件 [P].

罗小蓉 ;

蒋永恒 ;

蔡金勇 ;

范叶 ;

王沛 ;

王骁伟 ;

周坤 ;

王琦 ;

罗尹春 ;

张波 .

中国专利 :CN102723355A ,2012-10-10

[3]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[4]

半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件 [P].

马浩华 ;

史波 ;

曹俊 ;

敖利波 .

中国专利 :CN111162057B ,2020-05-15

[5]

半导体功率器件以及组装半导体功率器件的方法 [P].

J-M·F·雷尼斯 ;

J·P·H·法夫雷 ;

R·A·拉卡班尼 .

中国专利 :CN107567657A ,2018-01-09

[6]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 .

中国专利 :CN203038926U ,2013-07-03

[7]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 ;

陈伟 .

中国专利 :CN203038927U ,2013-07-03

[8]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 .

中国专利 :CN103066104A ,2013-04-24

[9]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 ;

陈伟 .

中国专利 :CN103066105A ,2013-04-24

[10]

一种平面型分裂栅的IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212810309U ,2021-03-26

← 1 2 3 4 5 →