具有终端保护结构的半导体功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210586270.6

申请日：

2012-12-28

公开(公告)号：

CN103066105A

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

林敏之陈伟

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区宜山路810号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

北京金信立方知识产权代理有限公司 11225

代理人：

刘锋;刘世杰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731741359 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012105862706 申请公布日:20130424
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461518945 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012105862706 申请日:20121228
2013-04-24	公开	公开

共 50 条

[1]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 ;

陈伟 .

中国专利 :CN203038927U ,2013-07-03

[2]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 .

中国专利 :CN103066104A ,2013-04-24

[3]

具有终端保护结构的半导体功率器件 [P].

林敏之 .

中国专利 :CN203038926U ,2013-07-03

[4]

沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10

[5]

半导体功率器件终端结构 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112802888A ,2021-05-14

[6]

半导体功率器件终端结构 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN112736123A ,2021-04-30

[7]

沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件 [P].

杨利君 ;

宣雷 ;

李海军 .

中国专利 :CN119050127A ,2024-11-29

[8]

静电放电保护结构、半导体功率器件与半导体功率器件的制造方法 [P].

郭大川 ;

胡家玮 ;

盖婉玉 .

美国专利 :CN120417488A ,2025-08-01

[9]

半导体功率器件的终端保护结构的制造方法 [P].

禹小军 ;

杭华 ;

刘伟 .

中国专利 :CN117153863B ,2024-12-03

[10]

具有终端环的半导体功率器件 [P].

乔治·埃尔-扎马尔 ;

蒂姆·伯切尔 ;

马西莫·卡塔尔多·马齐洛 ;

森克·哈贝尼希特 .

:CN120201760A ,2025-06-24

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