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具有集成电容的半导体芯片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510746021.6
申请日：
2025-06-05
公开(公告)号：
CN120813033A
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
张忠宇
申请人：
京东方华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址：
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号：
H10D84/00
IPC分类号：
H10D84/01 H01L23/522 H01L23/64 H10D1/68
代理机构：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人：
徐立
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省 金华市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/00申请日:20250605
2025-10-17 公开 公开
共 50 条
[1]
具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法 [P]. 
马欢 .
中国专利 :CN121057274A ,2025-12-02
[2]
半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件 [P]. 
张宇昆 ;
周立 ;
王俊 ;
靳嫣然 ;
胡燚文 ;
杨文帆 ;
李婷 ;
闵大勇 .
中国专利 :CN119726361B ,2025-05-23
[3]
半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件 [P]. 
张宇昆 ;
周立 ;
王俊 ;
靳嫣然 ;
胡燚文 ;
杨文帆 ;
李婷 ;
闵大勇 .
中国专利 :CN119726361A ,2025-03-28
[4]
半导体芯片的制作方法、半导体芯片及其应用 [P]. 
高艳婷 ;
徐杨兵 ;
何先良 ;
魏鸿基 ;
魏明强 .
中国专利 :CN117954320A ,2024-04-30
[5]
具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法 [P]. 
马欢 .
中国专利 :CN120786921A ,2025-10-14
[6]
半导体芯片及其制备方法 [P]. 
王国宏 ;
李志聪 ;
李璟 ;
张逸韵 .
中国专利 :CN114759002A ,2022-07-15
[7]
半导体芯片及其制备方法 [P]. 
赵树峰 .
中国专利 :CN117913036A ,2024-04-19
[8]
半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法 [P]. 
多田健太郎 .
中国专利 :CN101604817B ,2009-12-16
[9]
具有集成电路的半导体芯片 [P]. 
D·穆特尔斯 .
德国专利 :CN118399949A ,2024-07-26
[10]
一种半导体芯片的制备方法及其半导体芯片 [P]. 
李豪 ;
秦佳宁 ;
宋光秀 .
中国专利 :CN120321979A ,2025-07-15
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