低微管密度碳化硅单晶制备方法及碳化硅单晶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111019665.3

申请日：

2021-09-01

公开(公告)号：

CN113445128A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

王亚哲皮孝东徐所成陈鹏磊姚秋鹏程周鹏罗昊

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260

代理人：

姚宇吉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210901
2021-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[2]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22

[3]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN102187019A ,2011-09-14

[4]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629001A ,2019-04-16

[5]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109576792A ,2019-04-05

[6]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[7]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629000A ,2019-04-16

[8]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[9]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[10]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 [P].

佐藤信也 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 ;

中林正史 .

中国专利 :CN107002281A ,2017-08-01

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