用于在碳注入期间延长离子源寿命和改善离子源性能的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310243476.3
申请日
2013-06-19
公开(公告)号
CN103578902A
公开(公告)日
2014-02-12
发明(设计)人
A.K.辛哈 L.A.布朗 S.坎珀 N.J.巴索姆 D.斯波勒德
申请人
申请人地址
美国康涅狄格州
IPC主分类号
H01J37317
IPC分类号
H01J3708
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张萍;李炳爱
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
用于在碳注入期间延长离子源寿命和改善离子源性能的组合物 [P]. 
A.K.辛哈 ;
L.A.布朗 ;
S.坎珀 .
中国专利 :CN103515173B ,2014-01-15
[2]
延长离子源寿命的方法 [P]. 
A.辛哈 ;
L.A.布朗 .
中国专利 :CN103189956A ,2013-07-03
[3]
离子源电弧室、离子源及离子注入设备 [P]. 
林纪光 .
中国专利 :CN223527118U ,2025-11-07
[4]
含有锌离子源、亚锡离子源和氟离子源的口腔组合物 [P]. 
卡维塔·韦米谢蒂 ;
利尼·弗鲁热 ;
迈克尔·普伦奇佩 .
中国专利 :CN106470737A ,2017-03-01
[5]
离子注入机的离子源 [P]. 
简志宏 ;
王振辉 .
中国专利 :CN201478255U ,2010-05-19
[6]
用于离子源组件清洗的方法 [P]. 
A.辛哈 ;
S.M.坎珀 ;
L.A.布朗 .
中国专利 :CN102549705A ,2012-07-04
[7]
一种用于碳离子注入工艺的离子源装置 [P]. 
肖志强 ;
刘金涛 ;
关天祺 ;
肖嘉星 ;
王振辉 ;
雷晓刚 ;
郑皓文 ;
侯爽 ;
张朋 ;
孙世豪 ;
张彦彬 ;
张林凯 ;
王亚 .
中国专利 :CN216528738U ,2022-05-13
[8]
离子源及其清洁方法 [P]. 
足立昌和 ;
平井裕也 ;
谷口智哉 .
中国专利 :CN111640639A ,2020-09-08
[9]
离子源及其清洁方法 [P]. 
足立昌和 ;
平井裕也 ;
谷口智哉 .
日本专利 :CN111640639B ,2024-03-22
[10]
离子源清洁方法及其装置 [P]. 
科斯特尔·拜洛 ;
奎格·R·钱尼 ;
艾利克·R·科布 ;
本雄·具 ;
威尔汉·P·普拉托 .
中国专利 :CN102113094A ,2011-06-29