异质接面双极性电晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410344152.3

申请日：

2014-07-18

公开(公告)号：

CN105261639A

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

邱瑞斌蔡绪孝许龙豪林正国

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L29737

IPC分类号：

H01L29417

代理机构：

北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301

代理人：

喻慧玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-26	授权	授权
2016-01-20	公开	公开
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646918440 IPC(主分类):H01L 29/737 专利申请号:2014103441523 申请日:20140718

共 50 条

[1]

异质接面双极性电晶体结构 [P].

金宇中 ;

黄朝兴 ;

李宗霖 .

中国专利 :CN117637811A ,2024-03-01

[2]

横向双载子接面电晶体及其形成方法 [P].

陈硕懋 ;

赵治平 ;

张智胜 .

中国专利 :CN1967846A ,2007-05-23

[3]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477434U ,2021-10-22

[4]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477437U ,2021-10-22

[5]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477435U ,2021-10-22

[6]

电晶体单元 [P].

刘莒光 .

中国专利 :CN101887914A ,2010-11-17

[7]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[8]

双电晶体热电分离封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477436U ,2021-10-22

[9]

二极管/电晶体晶片PN 接面的保护方法 [P].

黄正尚 ;

陈国辉 ;

陈効义 ;

温育德 .

中国专利 :CN103456648A ,2013-12-18

[10]

极性纳米工程化的弛豫PbTiOi铁电晶体 [P].

罗军 ;

W·S·哈肯贝格尔 ;

李飞 ;

张书军 ;

T·R·旭洛特 .

中国专利 :CN111133597A ,2020-05-08

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