双电晶体的封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120239906.4

申请日：

2021-01-28

公开(公告)号：

CN214477435U

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

颜宗贤王兴烨沈峰睿吴家荣

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L23498 H01L23367

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

朱丽华

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477434U ,2021-10-22

[2]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477437U ,2021-10-22

[3]

双电晶体热电分离封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477436U ,2021-10-22

[4]

功率电晶体的封装构造 [P].

梁伟成 ;

林昶伸 .

中国专利 :CN201514937U ,2010-06-23

[5]

用于锁附封装电晶体的治具 [P].

程行风 ;

沈达亮 ;

刘喜涛 .

中国专利 :CN203312263U ,2013-11-27

[6]

异质接面双极性电晶体结构 [P].

金宇中 ;

黄朝兴 ;

李宗霖 .

中国专利 :CN117637811A ,2024-03-01

[7]

共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 .

中国专利 :CN212542436U ,2021-02-12

[8]

异质接面双极性电晶体 [P].

邱瑞斌 ;

蔡绪孝 ;

许龙豪 ;

林正国 .

中国专利 :CN105261639A ,2016-01-20

[9]

功率电晶体结构 [P].

杨信佳 ;

郭志盛 .

中国专利 :CN101752422B ,2010-06-23

[10]

可隔绝电气干扰的电晶体结构 [P].

资重兴 .

中国专利 :CN2770094Y ,2006-04-05

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