晶圆级凸点封装结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510436075.9

申请日：

2015-07-22

公开(公告)号：

CN105140200A

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

曹立强何洪文戴风伟秦飞史戈别晓锐

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L2160 H01L2178

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;刘海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	公开	公开
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640705202 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2015104360759 申请日:20150722
2019-01-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/485 申请公布日:20151209

共 50 条

[1]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114005792B ,2025-05-02

[2]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114005792A ,2022-02-01

[3]

MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法 [P].

于大全 ;

耿增华 ;

翟玲玲 ;

崔磊 ;

沈歆煜 .

中国专利 :CN105552053A ,2016-05-04

[4]

晶圆级芯片封装结构及其制作方法 [P].

刘瑛 .

中国专利 :CN110349870A ,2019-10-18

[5]

晶圆级芯片封装结构及其制作方法 [P].

马书英 ;

于大全 .

中国专利 :CN107068629A ,2017-08-18

[6]

一种晶圆级焊锡微凸点的制作方法 [P].

秦飞 ;

别晓锐 ;

史戈 ;

安彤 ;

武伟 ;

肖智轶 .

中国专利 :CN105140140B ,2015-12-09

[7]

新型MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法 [P].

于大全 ;

姚明军 ;

翟玲玲 ;

崔志勇 .

中国专利 :CN105914193A ,2016-08-31

[8]

凸点制作方法以及凸点结构 [P].

丁万春 .

中国专利 :CN102005396A ,2011-04-06

[9]

晶圆级封装结构 [P].

丁万春 .

中国专利 :CN204391100U ,2015-06-10

[10]

一种晶圆级扇出封装的制作方法 [P].

姜峰 ;

陆原 .

中国专利 :CN105097566A ,2015-11-25

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