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MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610098995.9
申请日：
2016-02-23
公开(公告)号：
CN105552053A
公开(公告)日：
2016-05-04
发明(设计)人：
于大全
耿增华
翟玲玲
崔磊
沈歆煜
申请人：
申请人地址：
215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号
IPC主分类号：
H01L23485
IPC分类号：
H01L2160
代理机构：
昆山四方专利事务所 32212
代理人：
盛建德;段新颖
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-05-04 | 公开 | 公开 |
| 2019-03-08 | 授权 | 授权 |
| 2016-09-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2016100989959 申请日:20160223 号牌文件序号:101678498002 |
| 2020-01-03 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/485 变更事项:专利权人 变更前:华天科技（昆山）电子有限公司 变更后:华天科技（昆山）电子有限公司 变更事项:地址 变更前:215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号 变更后:215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号 变更事项:共同专利权人 变更前:磊曜微电子（上海）股份有限公司 变更后:聚芯芯片科技（常州）股份有限公司 |