晶圆级封装结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110215768.7

申请日：

2011-07-29

公开(公告)号：

CN102903821A

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

曾坚信

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3364 H01L3362 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101409719868 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:2011102157687 申请日:20110729
2015-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101720459563 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:2011102157687 申请公布日:20130130
2013-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

晶圆级封装结构及其制作方法 [P].

赖金榜 ;

马俊 .

中国专利 :CN101373749B ,2009-02-25

[2]

晶圆级封装结构及其制作方法 [P].

马俊 ;

赖金榜 .

中国专利 :CN101373748A ,2009-02-25

[3]

MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法 [P].

于大全 ;

耿增华 ;

翟玲玲 ;

崔磊 ;

沈歆煜 .

中国专利 :CN105552053A ,2016-05-04

[4]

晶圆级芯片封装结构及其制作方法 [P].

刘莹 .

中国专利 :CN118712141A ,2024-09-27

[5]

晶圆级芯片封装结构及其制作方法 [P].

马书英 ;

于大全 .

中国专利 :CN107068629A ,2017-08-18

[6]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

徐健 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN104733403A ,2015-06-24

[7]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114005792B ,2025-05-02

[8]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114005792A ,2022-02-01

[9]

晶圆级封装结构的制作方法 [P].

马俊 ;

赖金榜 .

中国专利 :CN101431037B ,2009-05-13

[10]

新型MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法 [P].

于大全 ;

姚明军 ;

翟玲玲 ;

崔志勇 .

中国专利 :CN105914193A ,2016-08-31

← 1 2 3 4 5 →