晶圆级封装结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710047828.2

申请日：

2007-11-06

公开(公告)号：

CN101431037B

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

马俊赖金榜

申请人：

申请人地址：

200000 上海市青浦工业区崧泽大道9688号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

左一平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-13	公开	公开
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-30	授权	授权
2017-12-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20071106 授权公告日:20110330 终止日期:20161106

共 50 条

[1]

MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法 [P].

于大全 ;

耿增华 ;

翟玲玲 ;

崔磊 ;

沈歆煜 .

中国专利 :CN105552053A ,2016-05-04

[2]

晶圆级封装的制作方法 [P].

吴铁将 ;

施信益 .

中国专利 :CN106486384A ,2017-03-08

[3]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

徐健 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN104733403A ,2015-06-24

[4]

晶圆级封装结构及其制作方法 [P].

赖金榜 ;

马俊 .

中国专利 :CN101373749B ,2009-02-25

[5]

晶圆级封装结构及其制作方法 [P].

曾坚信 .

中国专利 :CN102903821A ,2013-01-30

[6]

晶圆级封装结构及其制作方法 [P].

马俊 ;

赖金榜 .

中国专利 :CN101373748A ,2009-02-25

[7]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114005792B ,2025-05-02

[8]

晶圆级封装结构及制作方法 [P].

黄晓波 ;

宋向东 .

中国专利 :CN114005792A ,2022-02-01

[9]

晶圆级封装模块的制作方法 [P].

吴明哲 .

中国专利 :CN106783630A ,2017-05-31

[10]

晶圆级芯片封装结构及其制作方法 [P].

马书英 ;

于大全 .

中国专利 :CN107068629A ,2017-08-18

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