一种提升返工片效率的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111360971.3

申请日：

2021-11-17

公开(公告)号：

CN114093984A

公开(公告)日：

2022-02-25

发明(设计)人：

郑正明马菁厉文斌任永伟何悦任勇

申请人：

申请人地址：

322118 浙江省金华市东阳市横店镇工业区

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310236

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

赵颖

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	公开	公开
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20211117

共 50 条

[1]

一种PVD返工片返工工艺 [P].

王诗荣 ;

徐博斐 ;

赵寿凯 ;

王海军 ;

侯洪涛 .

中国专利 :CN119029094A ,2024-11-26

[2]

一种单晶硅电池片返工工艺 [P].

王宝磊 ;

孙占峰 ;

李小玄 ;

李锴 ;

马琳丽 .

中国专利 :CN110911271A ,2020-03-24

[3]

一种太阳能彩虹片返工工艺 [P].

刘进 ;

周水生 ;

董建明 ;

张欣 ;

张之栋 .

中国专利 :CN105226132B ,2016-01-06

[4]

一种镀膜返工片的清洗方法 [P].

苗丽燕 .

中国专利 :CN103894362A ,2014-07-02

[5]

一种HJT非晶硅镀膜后不良片的返工工艺 [P].

庄辉虎 ;

许海堂 ;

林烟烟 .

中国专利 :CN115621370A ,2023-01-17

[6]

一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺 [P].

贾松燕 ;

任永伟 ;

蔡万里 .

中国专利 :CN110165018A ,2019-08-23

[7]

一种返工片的清洗方法及其应用 [P].

张冰 ;

闫会珍 ;

陈素素 ;

孟小玮 ;

耿立波 .

中国专利 :CN119419115A ,2025-02-11

[8]

一种硅片镀膜色差片的返工方法 [P].

杜玉 .

中国专利 :CN103887369A ,2014-06-25

[9]

一种提高异质结电池返工效率的方法 [P].

李建建 ;

崔喜文 ;

黄迎春 ;

徐国军 .

中国专利 :CN117976777B ,2024-07-09

[10]

一种提高异质结电池返工效率的方法 [P].

李建建 ;

崔喜文 ;

黄迎春 ;

徐国军 .

中国专利 :CN117976777A ,2024-05-03

← 1 2 3 4 5 →