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半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810072199.7
申请日：
2018-01-25
公开(公告)号：
CN108364942A
公开(公告)日：
2018-08-03
发明(设计)人：
中村弘幸 下山浩哉
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2516
IPC分类号：
H01L23495
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
陈伟;王娟娟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-08-03 公开 公开
2020-02-14 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/16 申请日:20180125
共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
佐藤幸弘 ;
宇野友彰 ;
松浦伸悌 ;
白石正树 .
中国专利 :CN1677666A ,2005-10-05
[2]
半导体器件 [P]. 
佐藤幸弘 ;
宇野友彰 ;
松浦伸悌 ;
白石正树 .
中国专利 :CN101582415B ,2009-11-18
[3]
半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法 [P]. 
薛珉洙 ;
卞卿溵 ;
金昌炫 ;
李殷奎 .
韩国专利 :CN119835999A ,2025-04-15
[4]
半导体器件、半导体模块和制造方法 [P]. 
J·舒德勒 ;
G·塞尔瓦托 ;
F·莫恩 ;
柳春雷 .
:CN118591871A ,2024-09-03
[5]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
李承翰 .
中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30
[6]
半导体器件 [P]. 
冈本康宏 ;
井上隆 ;
中山达峰 ;
根贺亮平 ;
金泽全彰 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN103545352A ,2014-01-29
[7]
半导体器件 [P]. 
小野瑞城 ;
石原贵光 .
中国专利 :CN1591903A ,2005-03-09
[8]
半导体器件 [P]. 
田平幸德 ;
小池信也 ;
清原俊范 .
中国专利 :CN105470227A ,2016-04-06
[9]
半导体器件 [P]. 
椿茂树 .
中国专利 :CN1707809A ,2005-12-14
[10]
半导体器件 [P]. 
佐藤知稔 ;
荻野荣治 ;
池谷直泰 ;
森下敏 .
中国专利 :CN105144379A ,2015-12-09
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