一种离子掺杂的宽禁带半导体忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910751262.4

申请日：

2019-08-15

公开(公告)号：

CN110556474B

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

薛堪豪李立恒李祎缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智;曹葆青

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权
2020-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190815
2019-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法 [P].

孙蕊 ;

贾玉萍 ;

黎大兵 ;

孙晓娟 ;

吕顺鹏 ;

刘明睿 ;

蒋科 ;

王炳翔 ;

梁岷川 .

中国专利 :CN120835744A ,2025-10-24

[2]

一种宽禁带半导体的掺杂方法 [P].

黄升晖 .

中国专利 :CN107622941A ,2018-01-23

[3]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[4]

一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN119922973B ,2025-11-18

[5]

一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN119922973A ,2025-05-02

[6]

一种补偿降低宽禁带半导体材料掺杂激活能的方法及宽禁带半导体材料 [P].

黎大兵 ;

石芝铭 ;

马晓宝 ;

蒋科 ;

孙晓娟 ;

贲建伟 ;

张山丽 .

中国专利 :CN120674306A ,2025-09-19

[7]

一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法 [P].

陈峰武 ;

魏唯 ;

韩云鑫 ;

巩小亮 .

中国专利 :CN102945795A ,2013-02-27

[8]

一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

刘琦 ;

张森 ;

王艳 .

中国专利 :CN102738389A ,2012-10-17

[9]

一种宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法 [P].

周洋 ;

袁雄 .

中国专利 :CN119342863A ,2025-01-21

[10]

一种AlScN宽禁带半导体辐射探测器及其制备方法 [P].

黎大兵 ;

陈冲 ;

贾玉萍 ;

孙晓娟 ;

刘明睿 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN118588796A ,2024-09-03

← 1 2 3 4 5 →