半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02156953.3

申请日：

2002-12-20

公开(公告)号：

CN1331189C

公开(公告)日：

2003-07-02

发明(设计)人：

小久保千穗志贺爱子棚田好文山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-07-02	公开	公开
2021-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20021220 授权公告日:20070808 终止日期:20201220
2007-08-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

磯部敦生 ;

山口哲司 ;

鄉戶宏充 .

中国专利 :CN1770474A ,2006-05-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100521119C ,2006-12-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1052570C ,1994-08-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100437907C ,2005-03-23

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 ;

郑仓龙 ;

金昌树 ;

徐昌秀 ;

朴汶熙 .

中国专利 :CN1725511A ,2006-01-25

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

矶部敦生 ;

山口哲司 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN1725513A ,2006-01-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1134068C ,1997-12-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN101740633A ,2010-06-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN103107201B ,2013-05-15

← 1 2 3 4 5 →