一种晶圆研磨抛光方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210557494.4
申请日
2012-12-20
公开(公告)号
CN103878678A
公开(公告)日
2014-06-25
发明(设计)人
夏金伟 张中连 龚小春 顾军
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
B24B3702
IPC分类号
B24B53017
代理机构
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249
代理人
张静洁;徐雯琼
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺 [P]. 
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[2]
SOI晶圆研磨抛光方法及SOI晶圆 [P]. 
汪子文 ;
高巍 ;
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[3]
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郑向光 ;
赵伟帅 ;
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李青璇 ;
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[4]
一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺 [P]. 
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[5]
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[6]
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[7]
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孔凡苑 ;
孟强 ;
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[8]
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[9]
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[10]
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