两步烧结工艺制备IGZO陶瓷靶材的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910351001.3

申请日：

2019-04-28

公开(公告)号：

CN110002853A

公开(公告)日：

2019-07-12

发明(设计)人：

刘洋孙本双舒永春曾学云朱锦鹏

申请人：

申请人地址：

450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B35453 C04B35622 C04B3564 C23C1435 C23C1408

代理机构：

北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙) 11557

代理人：

朱春野

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-12	公开	公开
2022-07-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/01 申请公布日:20190712
2019-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/01 申请日:20190428

共 50 条

[1]

一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法 [P].

樊繁 ;

王莉莉 ;

徐灿辉 ;

农永萍 ;

赵明勇 .

中国专利 :CN117447188A ,2024-01-26

[2]

一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法 [P].

樊繁 ;

王莉莉 ;

徐灿辉 ;

农永萍 ;

赵明勇 .

中国专利 :CN117447188B ,2025-08-22

[3]

一种IGZO靶材的烧结制备方法及其应用 [P].

周志宏 ;

陈常清 ;

周昭宇 .

中国专利 :CN118184311B ,2024-08-13

[4]

一种IGZO靶材的烧结制备方法及其应用 [P].

周志宏 ;

陈常清 ;

周昭宇 .

中国专利 :CN118184311A ,2024-06-14

[5]

一种β-FeSe超导陶瓷及两步烧结制备方法 [P].

吴云翼 ;

郜健 .

中国专利 :CN103910527A ,2014-07-09

[6]

一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法 [P].

孔伟华 ;

刘洪强 ;

高延红 .

中国专利 :CN120794574B ,2025-11-28

[7]

一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法 [P].

孔伟华 ;

刘洪强 ;

高延红 .

中国专利 :CN120794574A ,2025-10-17

[8]

一种IGZO靶材的制备方法 [P].

王晨 ;

丁金铎 ;

葛春桥 ;

柳春锡 ;

金志洸 ;

崔恒 .

中国专利 :CN112537954B ,2021-03-23

[9]

一种两步烧结制备铌酸钾钠基压电陶瓷的方法 [P].

陈异 ;

潘永齐 ;

黄龙飞 ;

冯洁 ;

徐尊平 .

中国专利 :CN115477538A ,2022-12-16

[10]

一种两步分段烧结法制备高致密ITO靶材的方法 [P].

许亚利 ;

方宏 ;

刘冠鹏 ;

崔晓芳 .

中国专利 :CN106977179B ,2017-07-25

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