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一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511308308.7
申请日：
2025-09-15
公开(公告)号：
CN120794574A
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
孔伟华 刘洪强 高延红
申请人：
江苏迪纳科精细材料股份有限公司
申请人地址：
210008 江苏省南京市江宁区芳园西路10号九龙湖国际企业园创新中心A座8层
IPC主分类号：
C04B35/01
IPC分类号：
C04B35/622 C04B35/645 C23C14/08 C23C14/34
代理机构：
南京中翰博知知识产权代理事务所(普通合伙) 32856
代理人：
郭林
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/01申请日:20250915
2025-10-17 公开 公开
2025-11-28 授权 授权
共 50 条
[1]
一种IGZO陶瓷靶材及其制备方法 [P]. 
孔伟华 ;
刘洪强 ;
高延红 .
中国专利 :CN120794574B ,2025-11-28
[2]
一种IZO陶瓷靶材及其制备方法 [P]. 
孔伟华 ;
刘洪强 ;
高延红 .
中国专利 :CN120794573A ,2025-10-17
[3]
一种IZO陶瓷靶材及其制备方法 [P]. 
孔伟华 ;
刘洪强 ;
高延红 .
中国专利 :CN120794573B ,2025-12-09
[4]
一种IGZO靶材及其制备方法 [P]. 
唐安泰 ;
唐智勇 ;
程波 .
中国专利 :CN117285344B ,2024-04-16
[5]
一种IGZO粉体、靶材及其制备方法 [P]. 
李开杰 ;
邵学亮 ;
张来稳 ;
朱刘 .
中国专利 :CN112939576A ,2021-06-11
[6]
两步烧结工艺制备IGZO陶瓷靶材的方法 [P]. 
刘洋 ;
孙本双 ;
舒永春 ;
曾学云 ;
朱锦鹏 .
中国专利 :CN110002853A ,2019-07-12
[7]
一种高密度低温烧结IGZO靶材及其制备方法 [P]. 
曾墩风 ;
王志强 ;
曾探 ;
鄢波 ;
陈光园 .
中国专利 :CN120518390B ,2025-09-26
[8]
一种高密度低温烧结IGZO靶材及其制备方法 [P]. 
曾墩风 ;
王志强 ;
曾探 ;
鄢波 ;
陈光园 .
中国专利 :CN120518390A ,2025-08-22
[9]
一种陶瓷靶材及其制备方法和应用 [P]. 
宋希文 ;
王志刚 ;
谢敏 ;
郭毛毛 .
中国专利 :CN115073172A ,2022-09-20
[10]
一种改性ATO陶瓷靶材及其制备方法 [P]. 
陈露 ;
葛春桥 ;
梁齐莹 ;
高钰航 ;
罗泽宇 .
中国专利 :CN119118652A ,2024-12-13
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