超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010231734.2

申请日：

2010-07-21

公开(公告)号：

CN102010666B

公开(公告)日：

2011-04-13

发明(设计)人：

刘玉岭周建伟赵巧云

申请人：

申请人地址：

300130 天津市红桥区光荣道8号

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

代理机构：

天津市三利专利商标代理有限公司 12107

代理人：

杨红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101074692380 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2010102317342 申请日:20100721
2013-03-06	授权	授权
2019-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20100721 授权公告日:20130306 终止日期:20180721
2011-04-13	公开	公开

共 50 条

[1]

超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

周建伟 ;

胡轶 .

中国专利 :CN102010667B ,2011-04-13

[2]

超大规模集成电路铝布线抛光液 [P].

刘玉岭 ;

牛新环 .

中国专利 :CN1861726A ,2006-11-15

[3]

超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法 [P].

刘玉岭 ;

刘效岩 ;

田军 .

中国专利 :CN101966688A ,2011-02-09

[4]

超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法 [P].

刘玉岭 ;

黄妍妍 ;

檀柏梅 ;

高宝红 ;

周强 .

中国专利 :CN101908503A ,2010-12-08

[5]

超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液 [P].

刘玉岭 ;

王新 ;

檀柏梅 ;

张楷亮 ;

刘纳 .

中国专利 :CN1140599C ,2003-02-26

[6]

超大规模集成电路锁 [P].

罗东升 .

中国专利 :CN87210846U ,1988-12-21

[7]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871457A ,2021-12-31

[8]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871459A ,2021-12-31

[9]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871458A ,2021-12-31

[10]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871461A ,2021-12-31

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