一种半导体器件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210191209.1
申请日
2012-06-11
公开(公告)号
CN103489822B
公开(公告)日
2014-01-01
发明(设计)人
邓浩 洪中山
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
董巍;高伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
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刘少雄 .
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[2]
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曹轶宾 .
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[3]
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刘焕新 .
中国专利 :CN106910706A ,2017-06-30
[4]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
伏广才 ;
叶星 .
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[5]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
一种半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
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[10]
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