U形沟道半导体感光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310513086.3

申请日：

2013-10-25

公开(公告)号：

CN104576665B

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

刘伟龚轶刘磊

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号C2-201

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陆明耀;陈忠辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611396825 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2013105130863 申请日:20131025
2015-04-29	公开	公开
2021-02-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/146 变更事项:专利权人变更前:苏州东微半导体有限公司变更后:苏州东微半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号C2-201 变更后:215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号C2-201
2017-09-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体感光器件及其制造方法 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637959A ,2015-05-20

[2]

一种半导体感光器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

吴俊 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN103594477A ,2014-02-19

[3]

半导体感光器件及其制造方法和应用 [P].

王鹏飞 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

张卫 .

中国专利 :CN101707202B ,2010-05-12

[4]

一种半导体感光器件及其制造方法 [P].

刘磊 ;

王鹏飞 ;

刘伟 .

中国专利 :CN102315231A ,2012-01-11

[5]

半导体感光器件的控制方法 [P].

王鹏飞 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

张卫 .

中国专利 :CN101715041A ,2010-05-26

[6]

半导体感光器件及其感光表面处理方法 [P].

刘孟彬 .

中国专利 :CN107978613A ,2018-05-01

[7]

一种U形沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN104103678A ,2014-10-15

[8]

一种U形沟道的半导体器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

王鹏飞 ;

龚轶 .

中国专利 :CN104103640B ,2014-10-15

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张勋 .

中国专利 :CN101740591A ,2010-06-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

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