一种半导体感光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310548614.9

申请日：

2013-11-06

公开(公告)号：

CN103594477A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

王鹏飞吴俊孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L218238 H01L21336

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权
2014-02-19	公开	公开
2020-10-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20131106 授权公告日:20160330 终止日期:20191106
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582881177 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2013105486149 申请日:20131106

共 50 条

[1]

半导体感光器件及其制造方法 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637959A ,2015-05-20

[2]

U形沟道半导体感光器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

龚轶 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104576665B ,2015-04-29

[3]

一种半导体感光器件及其制造方法 [P].

刘磊 ;

王鹏飞 ;

刘伟 .

中国专利 :CN102315231A ,2012-01-11

[4]

半导体感光器件及其制造方法和应用 [P].

王鹏飞 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

张卫 .

中国专利 :CN101707202B ,2010-05-12

[5]

半导体感光器件的控制方法 [P].

王鹏飞 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

张卫 .

中国专利 :CN101715041A ,2010-05-26

[6]

半导体感光器件及其感光表面处理方法 [P].

刘孟彬 .

中国专利 :CN107978613A ,2018-05-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张勋 .

中国专利 :CN101740591A ,2010-06-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN104979369A ,2015-10-14

[10]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

← 1 2 3 4 5 →