一种半导体感光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010223213.2

申请日：

2010-07-09

公开(公告)号：

CN102315231A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

刘磊王鹏飞刘伟

申请人：

申请人地址：

215230 江苏省苏州市工业园区星湖街218号纳米科技园C2组团201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194114017 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2010102232132 申请日:20100709
2013-07-31	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101641223577 IPC(主分类):H01L 27/146 专利号:无专利申请号:2010102232132 收件人:苏州东微半导体有限公司文件名称:视为未提出通知书
2013-08-14	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101649073143 IPC(主分类):H01L 27/146 专利号:无专利申请号:2010102232132 收件人:苏州东微半导体有限公司文件名称:视为撤回通知书
2012-01-11	公开	公开
2014-01-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101686140134 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2010102232132 申请公布日:20120111

共 50 条

[1]

半导体感光器件及其制造方法和应用 [P].

王鹏飞 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

张卫 .

中国专利 :CN101707202B ,2010-05-12

[2]

半导体感光器件的控制方法 [P].

王鹏飞 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

张卫 .

中国专利 :CN101715041A ,2010-05-26

[3]

半导体感光器件及其制造方法 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637959A ,2015-05-20

[4]

一种半导体感光器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

吴俊 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN103594477A ,2014-02-19

[5]

U形沟道半导体感光器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

龚轶 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104576665B ,2015-04-29

[6]

半导体感光器件及其感光表面处理方法 [P].

刘孟彬 .

中国专利 :CN107978613A ,2018-05-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

柏原庆一朗 .

中国专利 :CN103258832B ,2013-08-21

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

张勋 .

中国专利 :CN101740591A ,2010-06-16

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN104979369A ,2015-10-14

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