改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610021133.6

申请日：

2016-01-13

公开(公告)号：

CN105448997A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

朱袁正李宗清

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;张涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	公开	公开
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657705506 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016100211336 申请日:20160113
2019-02-15	授权	授权

共 50 条

[1]

改善反向恢复特性及雪崩能力的超结MOS器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN205376537U ,2016-07-06

[2]

改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118866943A ,2024-10-29

[3]

改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118866943B ,2024-12-06

[4]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[5]

一种提高反向恢复特性的SJ MOS及制备方法 [P].

贺俊杰 .

中国专利 :CN117525151A ,2024-02-06

[6]

超结MOS器件及其制备方法 [P].

王宝剑 ;

尹小宝 .

中国专利 :CN119947155A ,2025-05-06

[7]

集成TMBS结构的超结MOS器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

肖红秀 .

中国专利 :CN113782608A ,2021-12-10

[8]

一种超结MOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105336777A ,2016-02-17

[9]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

肖兵 .

中国专利 :CN110176499B ,2019-08-27

[10]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

黄肖艳 .

中国专利 :CN110212026B ,2019-09-06

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