三维半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910862593.5

申请日：

2019-09-12

公开(公告)号：

CN112490243A

公开(公告)日：

2021-03-12

发明(设计)人：

邱永振薛胜元李国兴吴建良康智凯黄冠凯

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L27085

IPC分类号：

H01L2906 H01L29778 H01L218252 H01L21335

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/085 申请日:20190912
2021-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

三维半导体结构及其制作方法 [P].

肖剑锋 .

中国专利 :CN115084145A ,2022-09-20

[2]

三维半导体结构及其制作方法 [P].

宋增超 .

中国专利 :CN120186996A ,2025-06-20

[3]

三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构 [P].

陈中怡 .

中国专利 :CN114649260A ,2022-06-21

[4]

三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构 [P].

陈中怡 .

中国专利 :CN114649260B ,2025-02-18

[5]

半导体结构、三维集成电路结构及其制作方法 [P].

陈宪伟 ;

陈洁 ;

陈明发 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN112017956B ,2024-04-30

[6]

半导体结构、三维集成电路结构及其制作方法 [P].

陈宪伟 ;

陈洁 ;

陈明发 ;

叶松峯 .

中国专利 :CN112017956A ,2020-12-01

[7]

三维半导体结构以及其制造方法 [P].

黄圣富 .

中国专利 :CN120388953A ,2025-07-29

[8]

半导体结构、制作方法及三维存储器 [P].

吴加吉 ;

石艳伟 ;

邹欣伟 .

中国专利 :CN113809089A ,2021-12-17

[9]

半导体结构、制作方法及三维存储器 [P].

黄腾 ;

华子群 ;

石艳伟 ;

姚兰 .

中国专利 :CN113892176A ,2022-01-04

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 ;

郁梦康 ;

黄娟娟 .

中国专利 :CN115483160A ,2022-12-16

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