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三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构
被引：0
申请号：
CN202011505918.3
申请日：
2020-12-18
公开(公告)号：
CN114649260A
公开(公告)日：
2022-06-21
发明(设计)人：
陈中怡
申请人：
申请人地址：
518109 广东省深圳市龙华新区观澜街道大三社区富士康观澜科技园B区厂房4栋、6栋、7栋、13栋(Ⅰ段)
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L27088
代理机构：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334
代理人：
林天成
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-07-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20201218 |
| 2022-06-21 | 公开 | 公开 |