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三维半导体结构的制作方法及三维半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011505918.3
申请日：
2020-12-18
公开(公告)号：
CN114649260B
公开(公告)日：
2025-02-18
发明(设计)人：
陈中怡
申请人：
富泰华工业（深圳）有限公司
鸿海精密工业股份有限公司
申请人地址：
518109 广东省深圳市龙华新区观澜街道大三社区富士康观澜科技园B区厂房4栋、6栋、7栋、13栋(Ⅰ段)
IPC主分类号：
H10D84/02
IPC分类号：
H10D84/85
代理机构：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334
代理人：
王保玺
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-18 | 授权 | 授权 |