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一种连续式半导体蚀刻设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202021083124.8
申请日
:
2020-06-12
公开(公告)号
:
CN212412002U
公开(公告)日
:
2021-01-26
发明(设计)人
:
廖海涛
申请人
:
申请人地址
:
226000 江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号
IPC主分类号
:
H01L21302
IPC分类号
:
H01L21461
H01L2167
F26B2100
代理机构
:
北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317
代理人
:
朱建
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-26
授权
授权
共 50 条
[1]
一种半导体蚀刻设备
[P].
张霖芝
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张霖芝
;
眭朝萍
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眭朝萍
;
田帅
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田帅
.
中国专利
:CN218447833U
,2023-02-03
[2]
一种半导体蚀刻设备
[P].
聂国勇
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聂国勇
;
陈仁华
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陈仁华
;
李建立
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李建立
.
中国专利
:CN216957960U
,2022-07-12
[3]
连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法
[P].
张书省
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张书省
;
蔡嘉雄
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蔡嘉雄
;
茹振宗
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茹振宗
;
刘仕伟
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刘仕伟
.
中国专利
:CN102610486A
,2012-07-25
[4]
一种连续式半导体晶圆蚀刻设备
[P].
刘启升
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0
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刘启升
.
中国专利
:CN112246747A
,2021-01-22
[5]
一种半导体蚀刻设备
[P].
吕兆辉
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机构:
江苏纽势达新材料装备有限公司
江苏纽势达新材料装备有限公司
吕兆辉
;
黄杰
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机构:
江苏纽势达新材料装备有限公司
江苏纽势达新材料装备有限公司
黄杰
;
冯峰
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机构:
江苏纽势达新材料装备有限公司
江苏纽势达新材料装备有限公司
冯峰
;
卢刚
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机构:
江苏纽势达新材料装备有限公司
江苏纽势达新材料装备有限公司
卢刚
;
王禹
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机构:
江苏纽势达新材料装备有限公司
江苏纽势达新材料装备有限公司
王禹
.
中国专利
:CN223181091U
,2025-08-01
[6]
一种半导体生产用蚀刻加工设备
[P].
廖海涛
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廖海涛
.
中国专利
:CN210073778U
,2020-02-14
[7]
一种半导体引线框架蚀刻设备
[P].
王锋涛
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王锋涛
;
黄斌
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黄斌
;
唐世辉
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唐世辉
;
李世春
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李世春
;
宋佳骏
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宋佳骏
;
雷洋
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雷洋
.
中国专利
:CN208873706U
,2019-05-17
[8]
半导体蚀刻设备
[P].
姜东勋
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机构:
夏泰鑫半导体(青岛)有限公司
夏泰鑫半导体(青岛)有限公司
姜东勋
.
中国专利
:CN111326444B
,2025-03-07
[9]
半导体蚀刻设备
[P].
姜东勋
论文数:
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姜东勋
.
中国专利
:CN111326444A
,2020-06-23
[10]
一种便于清理蚀刻液的半导体蚀刻设备
[P].
李华
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机构:
兴芯社(重庆)电子设备有限公司
兴芯社(重庆)电子设备有限公司
李华
.
中国专利
:CN221999036U
,2024-11-15
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