一种半导体蚀刻设备

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申请号
CN202222514983.3
申请日
2022-09-22
公开(公告)号
CN218447833U
公开(公告)日
2023-02-03
发明(设计)人
张霖芝 眭朝萍 田帅
申请人
申请人地址
215000 江苏省苏州市苏州工业园区江浦路50号301室(该地址不得从事零售)
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
合肥利交桥专利代理有限公司 34259
代理人
蔡辉
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体蚀刻设备 [P]. 
聂国勇 ;
陈仁华 ;
李建立 .
中国专利 :CN216957960U ,2022-07-12
[2]
一种半导体蚀刻设备 [P]. 
吕兆辉 ;
黄杰 ;
冯峰 ;
卢刚 ;
王禹 .
中国专利 :CN223181091U ,2025-08-01
[3]
一种连续式半导体蚀刻设备 [P]. 
廖海涛 .
中国专利 :CN212412002U ,2021-01-26
[4]
一种半导体生产用蚀刻加工设备 [P]. 
廖海涛 .
中国专利 :CN210073778U ,2020-02-14
[5]
一种半导体引线框架蚀刻设备 [P]. 
王锋涛 ;
黄斌 ;
唐世辉 ;
李世春 ;
宋佳骏 ;
雷洋 .
中国专利 :CN208873706U ,2019-05-17
[6]
半导体蚀刻设备 [P]. 
姜东勋 .
中国专利 :CN111326444B ,2025-03-07
[7]
半导体蚀刻设备 [P]. 
姜东勋 .
中国专利 :CN111326444A ,2020-06-23
[8]
一种便于清理蚀刻液的半导体蚀刻设备 [P]. 
李华 .
中国专利 :CN221999036U ,2024-11-15
[9]
一种半导体元器件蚀刻装置 [P]. 
李建立 ;
陈仁华 ;
聂国勇 .
中国专利 :CN216957959U ,2022-07-12
[10]
一种基于半导体加工的蚀刻设备及方法 [P]. 
高鑫 ;
金晓强 .
中国专利 :CN117936431B ,2024-08-20