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一种半导体蚀刻设备
被引：0
申请号：
CN202220721882.0
申请日：
2022-03-30
公开(公告)号：
CN216957960U
公开(公告)日：
2022-07-12
发明(设计)人：
聂国勇
陈仁华
李建立
申请人：
申请人地址：
410001 湖南省长沙市高新开发区麓松路789号工业厂房一楼
IPC主分类号：
H01L21306
IPC分类号：
H01L2167
代理机构：
长沙优企知识产权代理事务所(普通合伙) 43243
代理人：
刘佳芳
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-07-12 | 授权 | 授权 |