半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710153513.6
申请日
2007-09-20
公开(公告)号
CN101150090A
公开(公告)日
2008-03-26
发明(设计)人
松野光一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L218247
IPC分类号
H01L27115
代理机构
北京市中咨律师事务所
代理人
李峥;于静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
船矢琢央 ;
五十岚孝行 .
中国专利 :CN105051886B ,2015-11-11
[2]
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三岛康由 .
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[3]
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古贺洋贵 .
中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22
[4]
半导体装置及其半导体装置的制造方法 [P]. 
金本启 ;
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[5]
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[6]
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西康一 .
日本专利 :CN117995840A ,2024-05-07
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
和泉宇俊 .
中国专利 :CN1954430B ,2007-04-25
[8]
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岩崎真也 ;
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[9]
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[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
石井裕二 ;
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