半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710187531.6

申请日：

2007-11-21

公开(公告)号：

CN100550347C

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

黄祥逸

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国;梁挥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-04	公开	公开
2009-10-14	授权	授权
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-01-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101563322429 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2007101875316 申请日:20071121 授权公告日:20091014 终止日期:20121121

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井胜一 ;

森本升 ;

西冈康隆 ;

泉谷淳子 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

亚历山大·卡尔尼斯基 ;

罗仕豪 ;

柯弘彬 .

中国专利 :CN111524974A ,2020-08-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

服卷直美 ;

加藤芳健 ;

井上显 .

中国专利 :CN100388498C ,2006-01-25

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 .

中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN102610611A ,2012-07-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103137598B ,2013-06-05

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

白贤锡 ;

李银河 ;

丁炫硕 ;

韩成基 ;

梁旼镐 .

中国专利 :CN1996614A ,2007-07-11

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美达矢 .

中国专利 :CN1835226A ,2006-09-20

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