电沉积铜、包括其的电部件和电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480061120.0

申请日：

2014-11-10

公开(公告)号：

CN105705329B

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

李先珩赵泰真朴瑟气宋基德

申请人：

申请人地址：

韩国全罗北道

IPC主分类号：

B32B1520

IPC分类号：

H05K105

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	公开	公开
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670879247 IPC(主分类):B32B 15/20 专利申请号:2014800611200 申请日:20141110
2018-05-15	授权	授权

共 50 条

[1]

正极片以及包括其的电芯组件和电池 [P].

於洪将 ;

韩欣 .

中国专利 :CN118335892A ,2024-07-12

[2]

电沉积铜箔和覆铜层合板 [P].

铃木裕二 ;

斋藤贵宏 .

中国专利 :CN102124148B ,2011-07-13

[3]

电沉积铜箔的制造方法和电沉积铜箔 [P].

高桥直臣 ;

平泽裕 .

中国专利 :CN1337475A ,2002-02-27

[4]

易破碎性电沉积铜 [P].

福成朱夏 ;

细川侑 .

日本专利 :CN118475709A ,2024-08-09

[5]

电池电芯、电池组和包括电池电芯的车辆 [P].

林晟旻 ;

李炳九 ;

金度润 ;

李邵妍 .

韩国专利 :CN120604395A ,2025-09-05

[6]

微电子中的铜电沉积 [P].

小文森特·M·帕纳卡索 ;

林宣 ;

保罗·费格拉 ;

理查德·哈图比斯 ;

克里斯蒂娜·怀特 .

中国专利 :CN101416292B ,2009-04-22

[7]

微电子中的铜电沉积 [P].

文森特·派纳卡西奥 ;

林宣 ;

保罗·菲格瑞 ;

理查德·荷特比斯 .

中国专利 :CN101099231B ,2008-01-02

[8]

电沉积涂覆的元件和电沉积涂料 [P].

角仓进 ;

加藤友昭 .

中国专利 :CN1176318A ,1998-03-18

[9]

在半导体应用的电沉积铜中缺陷的降低 [P].

J·康曼德 ;

R·赫图比塞 ;

V·帕内卡西奥 ;

X·林 ;

K·吉拉格 .

中国专利 :CN100416777C ,2003-09-24

[10]

用于先进封装制程中的电沉积铜 [P].

王金剑 ;

俞波 .

中国专利 :CN118127578A ,2024-06-04

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