一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021516756.9

申请日：

2020-07-28

公开(公告)号：

CN212834019U

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

崔国东戴秀海余海春董黄华魏晓庆

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区宝山城市工业园区城银路267号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1652

代理机构：

上海申蒙商标专利代理有限公司 31214

代理人：

周宇凡

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统 [P].

崔国东 ;

戴秀海 ;

余海春 ;

董黄华 ;

魏晓庆 .

中国专利 :CN111705309A ,2020-09-25

[2]

一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统 [P].

崔国东 ;

戴秀海 ;

余海春 ;

董黄华 ;

魏晓庆 .

中国专利 :CN111705309B ,2024-11-26

[3]

一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统 [P].

崔国东 ;

戴秀海 ;

余海春 ;

魏晓庆 ;

董黄华 .

中国专利 :CN212533121U ,2021-02-12

[4]

一种支架和原子层沉积镀膜设备 [P].

魏晓庆 ;

蓝芝江 ;

李硕 .

中国专利 :CN216864319U ,2022-07-01

[5]

原子层沉积镀膜设备 [P].

陈文翰 ;

李哲峰 .

中国专利 :CN216404533U ,2022-04-29

[6]

原子层沉积镀膜设备 [P].

陈文翰 ;

乌磊 ;

李哲峰 .

中国专利 :CN216404534U ,2022-04-29

[7]

一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统 [P].

崔国东 ;

戴秀海 ;

余海春 ;

魏晓庆 ;

董黄华 .

中国专利 :CN111850516A ,2020-10-30

[8]

一种原子层沉积设备用化学源供给系统 [P].

魏晓庆 ;

秦志勇 .

中国专利 :CN221051988U ,2024-05-31

[9]

一种原子层沉积镀膜设备 [P].

李宇晗 ;

邵大立 ;

逄效伟 ;

周翔 ;

刘国庆 ;

魏静仪 ;

陈扬 ;

夏智星 ;

齐彪 ;

史皓然 ;

马敬忠 .

中国专利 :CN223061078U ,2025-07-04

[10]

原子层沉积镀膜设备 [P].

莫姗 ;

秦志勇 ;

杨启忠 .

中国专利 :CN223373223U ,2025-09-23

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