硅衬底平面LED集成芯片及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710026690.8

申请日：

2007-02-02

公开(公告)号：

CN101051634A

公开(公告)日：

2007-10-10

发明(设计)人：

吴纬国

申请人：

申请人地址：

510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L25075 H01L23488 H01L21607

代理机构：

广州市红荔专利代理有限公司

代理人：

李彦孚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-14	授权	授权
2007-10-10	公开	公开
2015-04-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603733124 IPC(主分类):H01L 25/00 专利号:ZL2007100266908 申请日:20070202 授权公告日:20100714 终止日期:20140202
2010-09-29	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007986896 IPC(主分类):H01L 25/00 专利号:ZL2007100266908 专利申请号:2007100266908 收件人:陈世蓉文件名称:发明专利证书

共 50 条

[1]

硅衬底平面LED集成芯片 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN201022077Y ,2008-02-13

[2]

平面倒装LED集成芯片及制造方法 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN100414704C ,2007-01-24

[3]

U槽LED集成芯片及制造方法 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN1877833A ,2006-12-13

[4]

LED集成芯片 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN2904303Y ,2007-05-23

[5]

平面高压串联LED集成芯片及其制造方法 [P].

吴俊纬 .

中国专利 :CN104701307A ,2015-06-10

[6]

用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片及其制造方法 [P].

李欣 ;

陈美鹏 ;

王徐 ;

竺欣晨 ;

宋少寒 ;

陶玥 ;

王永进 .

中国专利 :CN114975649B ,2024-07-23

[7]

平面高压串联LED集成芯片 [P].

吴俊纬 .

中国专利 :CN204538021U ,2015-08-05

[8]

非平面硅衬底LED器件及其制作方法 [P].

袁国栋 ;

张璐 ;

王琦 ;

王克超 ;

刘志强 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN106558637A ,2017-04-05

[9]

一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片 [P].

王金 .

中国专利 :CN205177832U ,2016-04-20

[10]

硅衬底及其制造方法 [P].

栗田一成 ;

表秀一 .

中国专利 :CN101521199B ,2009-09-02

← 1 2 3 4 5 →