半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010121457.X

申请日：

2010-02-11

公开(公告)号：

CN101807599B

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

大竹诚治

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2360

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳雪兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20100211 授权公告日:20120530 终止日期:20220211
2012-05-30	授权	授权
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006686826 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201010121457X 申请日:20100211
2010-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

关口亮太 ;

尾内敏彦 .

中国专利 :CN105900235A ,2016-08-24

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

田中秀治 ;

菊地修一 ;

中谷清史 ;

吉武和广 .

中国专利 :CN101026191A ,2007-08-29

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

海老池勇史 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN108735736A ,2018-11-02

[4]

半导体装置及其制造方法、半导体基板及其制造方法 [P].

三岛康由 .

中国专利 :CN1954418A ,2007-04-25

[5]

半导体装置及其半导体装置的制造方法 [P].

金本启 ;

冈秀明 .

中国专利 :CN1964046A ,2007-05-16

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

新田文彦 ;

松冈正道 ;

饭田里志 .

中国专利 :CN101447501B ,2009-06-03

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

南志昌 .

中国专利 :CN103295910B ,2013-09-11

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

日本专利 :CN117995840A ,2024-05-07

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