碱金属阻挡层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280026810.3

申请日：

2012-05-24

公开(公告)号：

CN103619774A

公开(公告)日：

2014-03-05

发明(设计)人：

F·克拉博

申请人：

申请人地址：

法国库伯瓦

IPC主分类号：

C03C1734

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

黄念;林森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-05	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752575214 IPC(主分类):C03C 17/34 专利申请号:2012800268103 申请公布日:20140305
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581670037 IPC(主分类):C03C 17/34 专利申请号:2012800268103 申请日:20120524

共 50 条

[41]

包含碱金属和碱金属合金的硅胶组合物 [P].

迈克尔·莱芬费尔德 ;

J·L·戴伊 .

中国专利 :CN1906140A ,2007-01-31

[42]

用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层 [P].

陈祈铭 ;

邱汉钦 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103545348A ,2014-01-29

[43]

具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法 [P].

R·鲁普 ;

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN108074995A ,2018-05-25

[44]

包含碱金属和碱金属合金的硅胶组合物 [P].

迈克尔·莱芬费尔德 ;

J·L·戴伊 .

中国专利 :CN102180443B ,2011-09-14

[45]

实现超大规模集成电路难熔金属硅化物阻挡层的方法 [P].

陈华伦 .

中国专利 :CN1731566A ,2006-02-08

[46]

碱金属插层过渡金属二硫化物的制备方法 [P].

吕晴 ;

李强 .

中国专利 :CN101948099B ,2011-01-19

[47]

碱金属棒及制造碱金属棒的方法 [P].

郭笑飞 ;

吕晓华 ;

吕艳东 .

中国专利 :CN104120316B ,2014-10-29

[48]

一种碱金属热管生产用碱金属存放装置 [P].

李明富 ;

付成龙 ;

蔡昌勇 ;

刘瑞琳 .

中国专利 :CN210417436U ,2020-04-28

[49]

碱金属离子传导体、碱金属离子电池和碱金属离子传导体的制造方法 [P].

南圭一 .

日本专利 :CN119072811A ,2024-12-03

[50]

一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN101345208A ,2009-01-14

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