用于分立半导体器件的集成温度传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510559426.5

申请日：

2015-07-10

公开(公告)号：

CN105258817A

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

A·基普 H·吕廷格 F·沃尔特

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

IPC主分类号：

G01K701

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张涛;胡莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	公开	公开
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646918368 IPC(主分类):G01K 7/01 专利申请号:2015105594265 申请日:20150710
2020-09-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01K 7/01 申请公布日:20160120

共 50 条

[1]

具有集成温度传感器的分立半导体器件封装 [P].

弗朗索瓦·佩劳德 ;

阿洛克·巴特 ;

罗德里·休斯 ;

理查德·J·波诺 ;

张锋 .

中国专利 :CN121149095A ,2025-12-16

[2]

一种集成温度传感器的半导体器件 [P].

李泽宏 ;

赵一尚 ;

皮蒙 ;

朱基弦 ;

郑弋戈 ;

李巍 ;

李令想 ;

韩天宇 ;

贾鹏飞 ;

吴庆霖 ;

杨洋 ;

刘小菡 .

中国专利 :CN118299422A ,2024-07-05

[3]

一种集成温度传感器的碳化硅半导体器件 [P].

刘进 ;

黄兴 ;

汪剑华 .

中国专利 :CN222339882U ,2025-01-10

[4]

具有集成温度传感器的半导体开关 [P].

N·克里施克 ;

R·伊玲 ;

B·奥尔 .

中国专利 :CN105406850A ,2016-03-16

[5]

背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法 [P].

吴凯 ;

张广银 ;

杨飞 ;

任雨 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN115116983B ,2025-07-15

[6]

背面集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法 [P].

吴凯 ;

张广银 ;

杨飞 ;

任雨 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN115116983A ,2022-09-27

[7]

半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法 [P].

格哈德·施密特 .

中国专利 :CN102969225A ,2013-03-13

[8]

具有温度传感器的功率半导体器件 [P].

朱春林 ;

V·苏雷什 ;

伊恩·德文尼 ;

王彦刚 .

中国专利 :CN112219277A ,2021-01-12

[9]

具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件 [P].

M.哈里逊 ;

G.辛纳 .

:CN109872974B ,2025-04-25

[10]

具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件 [P].

M.哈里逊 ;

G.辛纳 .

中国专利 :CN109872974A ,2019-06-11

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