具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811480537.7

申请日：

2018-12-05

公开(公告)号：

CN109872974B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

M.哈里逊 G.辛纳

申请人：

英飞凌科技奥地利有限公司

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L23/34

IPC分类号：

H10D30/66 H10D30/01 H10D12/00 H10D12/01

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

孙鹏;申屠伟进

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件 [P].

M.哈里逊 ;

G.辛纳 .

中国专利 :CN109872974A ,2019-06-11

[2]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

中国专利 :CN111223857A ,2020-06-02

[3]

具有集成的MOS选通的二极管或肖特基二极管的半导体器件 [P].

刘坚 ;

高琰 .

:CN111223857B ,2025-02-07

[4]

具有内置二极管IGBT的半导体器件和具有内置二极管DMOS的半导体器件 [P].

河野宪司 .

中国专利 :CN101414816A ,2009-04-22

[5]

半导体真空二极管温度传感器 [P].

沈志华 ;

葛滨 ;

李巧宁 ;

王海峰 ;

廖忠智 .

中国专利 :CN113884203A ,2022-01-04

[6]

半导体器件、二极管以及半导体结构 [P].

F·拉努瓦 ;

A·安考迪诺维 ;

V·罗多维 .

中国专利 :CN206401321U ,2017-08-11

[7]

与半导体器件集成的肖特基二极管 [P].

A·金德伦-汉森 ;

D·G·斯德鲁拉 ;

L·L·塞派希 ;

高田哲也 ;

让原逸男 ;

米山知宏 ;

细山田佑 .

美国专利 :CN118251768A ,2024-06-25

[8]

具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件 [P].

A·P·诺瓦雷塞 ;

M·D·皮尔纳西 ;

L·马索罗 .

:CN120977964A ,2025-11-18

[9]

具有二极管和IGBT的半导体器件 [P].

都筑幸夫 ;

河野宪司 .

中国专利 :CN101393914A ,2009-03-25

[10]

具有IGBT和二极管的半导体器件 [P].

尾关善彦 ;

户仓规仁 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN100559589C ,2007-08-29

← 1 2 3 4 5 →