具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510620150.0

申请日：

2025-05-14

公开(公告)号：

CN120977964A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

A·P·诺瓦雷塞 M·D·皮尔纳西 L·马索罗

申请人：

意法半导体国际公司

申请人地址：

瑞士日内瓦

IPC主分类号：

H01L23/34

IPC分类号：

H01L23/552 H01L21/02 G01K7/01

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

姚宗妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/34申请日:20250514
2025-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有集成二极管的晶体管器件 [P].

魏进 ;

金峻渊 .

中国专利 :CN207217534U ,2018-04-10

[2]

具有集成二极管的晶体管器件 [P].

魏进 ;

金峻渊 .

中国专利 :CN107482006B ,2017-12-15

[3]

具有内集成二极管的功率MOS晶体管 [P].

吴郁 ;

雷婧 ;

张康 ;

宋金辉 ;

周新田 ;

王智勇 .

中国专利 :CN119947188A ,2025-05-06

[4]

具有集成的肖特基二极管的功率晶体管 [P].

M·黑尔 ;

R·埃尔佩尔特 ;

C·莱恩德茨 .

中国专利 :CN114078973A ,2022-02-22

[5]

具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件 [P].

M.哈里逊 ;

G.辛纳 .

:CN109872974B ,2025-04-25

[6]

具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件 [P].

M.哈里逊 ;

G.辛纳 .

中国专利 :CN109872974A ,2019-06-11

[7]

具有集成源极-漏极二极管的晶体管 [P].

A·巴拉 ;

L·弗尔森 .

美国专利 :CN118280987A ,2024-07-02

[8]

具有可控反向二极管的功率晶体管 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

马丁·费尔德特克勒 ;

卢茨·约尔根斯 .

中国专利 :CN103117295B ,2013-05-22

[9]

集成有肖特基二极管的功率器件 [P].

唐纳徳·迪斯尼 .

中国专利 :CN202712186U ,2013-01-30

[10]

集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法 [P].

孙效中 ;

张朝阳 ;

李江华 ;

房宝清 .

中国专利 :CN102104026A ,2011-06-22

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