氧化镁溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980066087.3

申请日：

2019-10-09

公开(公告)号：

CN112805403A

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

梶田博树涩谷义孝成田里安

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C04B35053

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

胡嵩麟;王海川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20191009
2021-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化铟-氧化锌-氧化镁类溅射靶及透明导电膜 [P].

井上一吉 ;

松原雅人 ;

笘井重和 ;

岛根幸朗 .

中国专利 :CN100564579C ,2008-02-13

[2]

溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法 [P].

久野晃 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103814152A ,2014-05-21

[3]

氧化镁回收 [P].

埃里克·格万·罗奇 ;

杰德夫·普拉萨德 .

中国专利 :CN101356291A ,2009-01-28

[4]

氧化镁微粒 [P].

北岛秀明 ;

河边成人 .

中国专利 :CN102333535A ,2012-01-25

[5]

氧化镁水泥 [P].

桥本千明 ;

小野敬义 .

中国专利 :CN106007426A ,2016-10-12

[6]

氧化镁片剂 [P].

山地徹 .

日本专利 :CN117835990A ,2024-04-05

[7]

氧化镁薄膜 [P].

在田洋 ;

河野诚 ;

稻垣彻 ;

植木明 .

中国专利 :CN101274821A ,2008-10-01

[8]

溅射靶用氧化铬粉末及溅射靶 [P].

高见英生 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN101198716B ,2008-06-11

[9]

氧化钨溅射靶 [P].

山口刚 ;

井尾谦介 ;

河村栞里 ;

梅本启太 .

中国专利 :CN113423859A ,2021-09-21

[10]

氧化钨溅射靶 [P].

山口刚 ;

井尾谦介 ;

河村栞里 ;

梅本启太 .

中国专利 :CN113508188A ,2021-10-15

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