一种基于嵌入式电极侧向场激励的FBAR及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210150828.6

申请日：

2012-05-15

公开(公告)号：

CN102664602A

公开(公告)日：

2012-09-12

发明(设计)人：

金浩朱琦周剑冯斌王德苗

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H03H917

IPC分类号：

H03H302

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101343315014 IPC(主分类):H03H 9/17 专利申请号:2012101508286 申请日:20120515
2015-10-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101721755219 IPC(主分类):H03H 9/17 专利申请号:2012101508286 申请公布日:20120912
2012-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

具有嵌入式电极的柔性包装及制作方法 [P].

阿韦季克·R·哈鲁特云岩 .

中国专利 :CN114173860A ,2022-03-11

[2]

一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器 [P].

苏淑靖 ;

马晓鑫 ;

熊继军 ;

谭秋林 ;

耿子惠 ;

吴永盛 ;

韩文革 ;

吕楠楠 .

中国专利 :CN107192481A ,2017-09-22

[3]

嵌入式闪存器件的制作方法 [P].

沈安星 ;

刘贲 .

中国专利 :CN118401005A ,2024-07-26

[4]

嵌入式闪存器件的制作方法 [P].

沈安星 ;

刘贲 .

中国专利 :CN118401005B ,2024-09-03

[5]

一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法 [P].

颜树范 ;

张鑫 ;

胡瑞华 .

中国专利 :CN118588560A ,2024-09-03

[6]

一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN118692914A ,2024-09-24

[7]

一种嵌入式锗硅结构的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 ;

谭俊 ;

周军 ;

李润领 .

中国专利 :CN104900530A ,2015-09-09

[8]

一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列及其制作方法和应用 [P].

陈军 ;

陈毅聪 ;

许宁生 ;

邓少芝 .

中国专利 :CN102709133A ,2012-10-03

[9]

一种基于嵌入式电极的LED封装器件及其制备方法 [P].

程胜鹏 ;

程鹏 ;

邵雪江 ;

何荡 .

中国专利 :CN120897603A ,2025-11-04

[10]

碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法 [P].

郭辉 ;

梁佳博 ;

蒋树庆 ;

宋朝阳 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104701405B ,2015-06-10

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