光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03134679.0

申请日：

2003-09-25

公开(公告)号：

CN1497670A

公开(公告)日：

2004-05-19

发明(设计)人：

小泽美和野崎耕司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F726

代理机构：

北京东方亿思专利代理有限责任公司

代理人：

杜娟;肖善强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-10-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101198746713 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:031346790 公开日:20040519
2004-05-19	公开	公开

共 50 条

[1]

光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺，半导体器件及其制造工艺 [P].

野崎耕司 ;

小泽美和 .

中国专利 :CN1490672A ,2004-04-21

[2]

光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用 [P].

小泽美和 ;

野崎耕司 ;

並木崇久 ;

今纯一 .

中国专利 :CN1477447A ,2004-02-25

[3]

制作光刻胶图案的工艺 [P].

林进祥 ;

陆晓慈 ;

陈桂顺 ;

张庆裕 ;

张尚文 .

中国专利 :CN101174087A ,2008-05-07

[4]

负性光刻胶组合物和形成光刻胶图案的方法 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN112731764A ,2021-04-30

[5]

光刻胶图案的形成方法和光刻胶层合体 [P].

山崎晃义 ;

本池直人 ;

川名大助 ;

佐藤和史 .

中国专利 :CN1424626A ,2003-06-18

[6]

半导体器件及光刻胶图案的清洗方法 [P].

陈彧 .

中国专利 :CN108878254B ,2018-11-23

[7]

形成光刻胶图案的方法 [P].

汪钉崇 ;

蓝受龙 .

中国专利 :CN101140421B ,2008-03-12

[8]

形成光刻胶图案的方法 [P].

苏萌 ;

杨明 ;

宋延林 .

中国专利 :CN114815500A ,2022-07-29

[9]

形成光刻胶图案的方法 [P].

C·J·史密斯 ;

S·M·休斯 ;

C·M·J·霍克 ;

A·M·克罗尔 ;

A·G·纳吉 ;

P·M·瓦恩巴杰 .

中国专利 :CN100468642C ,2007-09-26

[10]

耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方法 [P].

何珂 ;

戈士勇 .

中国专利 :CN120762253A ,2025-10-10

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