一种温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410672043.4

申请日：

2014-11-22

公开(公告)号：

CN104446448A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

苏聪学孙振覃杏柳

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2016-04-06	授权	授权
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607385038 IPC(主分类):C04B 35/475 专利申请号:2014106720434 申请日:20141122
2021-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/475 登记生效日:20210302 变更事项:专利权人变更前权利人:桂林理工大学变更后权利人:桐乡市倍特科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号变更后权利人:314500 浙江省嘉兴市桐乡市崇福镇杭福路299号5幢4楼1011室

共 50 条

[1]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiAlSnO4 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106116565A ,2016-11-16

[2]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[3]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiCaVO4 [P].

陈进武 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272241A ,2016-01-27

[4]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷MgBiVO5 [P].

方亮 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105565802A ,2016-05-11

[5]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 [P].

方维双 ;

田云飞 ;

方亮 .

中国专利 :CN106927830A ,2017-07-07

[6]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiZnNb5O14 [P].

方亮 ;

罗昊 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649672A ,2015-05-27

[7]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104311020A ,2015-01-28

[8]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

徐军古 ;

巩美露 .

中国专利 :CN104311019B ,2015-01-28

[9]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

陈进武 ;

唐莹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104446379B ,2015-03-25

[10]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

李威 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311030B ,2015-01-28

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