一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷

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专利类型
发明
申请号
CN201710185376.8
申请日
2017-03-25
公开(公告)号
CN106927830A
公开(公告)日
2017-07-07
发明(设计)人
方维双 田云飞 方亮
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
IPC主分类号
C04B35505
IPC分类号
C04B35622
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 [P]. 
方亮 ;
孙宜华 ;
李东升 ;
李威 .
中国专利 :CN104370544B ,2015-02-25
[2]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21
[3]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
方清 ;
孙宜华 .
中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28
[4]
一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
陈进武 ;
唐莹 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104446379B ,2015-03-25
[5]
一种钼酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 [P]. 
李纯纯 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106986645A ,2017-07-28
[6]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Ca2LaBO5 [P]. 
郭欢欢 ;
苏和平 ;
唐莹 .
中国专利 :CN104402438B ,2015-03-11
[7]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4 [P]. 
校凯 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106187157A ,2016-12-07
[8]
温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiNd2VO6 [P]. 
方亮 ;
陈进武 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104744040A ,2015-07-01
[9]
一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
方维双 ;
李纯纯 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104311020A ,2015-01-28
[10]
一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P]. 
方亮 ;
李威 ;
孙宜华 .
中国专利 :CN104311030B ,2015-01-28