可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410655379.X

申请日：

2014-11-18

公开(公告)号：

CN104370544B

公开(公告)日：

2015-02-25

发明(设计)人：

方亮孙宜华李东升李威

申请人：

申请人地址：

443002 湖北省宜昌市大学路8号

IPC主分类号：

C04B3550

IPC分类号：

C04B3516 C04B35622

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

蒋悦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-25	公开	公开
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602532942 IPC(主分类):C04B 35/50 专利申请号:201410655379X 申请日:20141118
2016-03-23	授权	授权

共 50 条

[1]

可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiCuGdV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236973A ,2016-01-13

[2]

可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiNiPrV2O8 [P].

相怀成 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272243A ,2016-01-27

[3]

可低温烧结的温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgYV2O8 [P].

相怀成 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236974A ,2016-01-13

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[6]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷 [P].

方维双 ;

田云飞 ;

方亮 .

中国专利 :CN106927830A ,2017-07-07

[7]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷SmYV2O8 [P].

方维双 ;

方亮 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105198426A ,2015-12-30

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgV5O14 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104761261A ,2015-07-08

[9]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649667A ,2015-05-27

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