半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610569671.9

申请日：

2011-03-11

公开(公告)号：

CN106098788B

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	公开	公开
2020-10-16	授权	授权
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690431304 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2016105696719 申请日:20110311

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102844872A ,2012-12-26

[2]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105810752A ,2016-07-27

[3]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三宅博之 ;

宍户英明 ;

小山润 ;

松林大介 ;

村山佳右 .

中国专利 :CN104508549A ,2015-04-08

[4]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三宅博之 ;

宍户英明 ;

小山润 ;

松林大介 ;

村山佳右 .

中国专利 :CN108054175A ,2018-05-18

[5]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102834922A ,2012-12-19

[6]

半导体装置 [P].

神例信贵 .

中国专利 :CN109545858B ,2019-03-29

[7]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN110620156A ,2019-12-27

[8]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三宅博之 ;

宍户英明 ;

小山润 .

中国专利 :CN111477634A ,2020-07-31

[9]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三宅博之 ;

宍户英明 ;

小山润 .

中国专利 :CN104620390A ,2015-05-13

[10]

半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102822980B ,2012-12-12

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