上部电极和等离子体处理装置

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专利类型
发明
申请号
CN201210033958.1
申请日
2012-02-15
公开(公告)号
CN102647846A
公开(公告)日
2012-08-22
发明(设计)人
松山昇一郎
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H05H146
IPC分类号
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
上部电极构造和等离子体处理装置 [P]. 
佐藤徹治 .
日本专利 :CN118043945A ,2024-05-14
[2]
上部电极和等离子体处理装置 [P]. 
林大辅 ;
石田寿文 ;
木村滋利 .
中国专利 :CN1310290C ,2004-12-01
[3]
上部电极、等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
田中善嗣 ;
南雅人 .
中国专利 :CN100431097C ,2006-12-27
[4]
等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P]. 
里吉务 ;
佐藤亮 ;
佐佐木和男 ;
齐藤均 .
中国专利 :CN100543944C ,2005-11-09
[5]
等离子体处理装置以及等离子体处理方法 [P]. 
齐藤均 ;
佐藤亮 .
中国专利 :CN101465283A ,2009-06-24
[6]
等离子体处理装置以及等离子体处理方法 [P]. 
齐藤均 ;
佐藤亮 .
中国专利 :CN101969016A ,2011-02-09
[7]
电极板、电极组件和等离子体处理装置 [P]. 
有吉文彬 ;
花冈秀敏 .
日本专利 :CN119790716A ,2025-04-08
[8]
等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极 [P]. 
桧森慎司 ;
林大辅 .
中国专利 :CN101896033B ,2010-11-24
[9]
等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极 [P]. 
桧森慎司 .
中国专利 :CN101826434B ,2010-09-08
[10]
等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造 [P]. 
四本松康太 ;
石桥淳治 ;
佐佐木淳一 ;
花冈秀敏 .
日本专利 :CN112447484B ,2025-08-29