上部电极、等离子体处理装置和等离子体处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610093088.1

申请日：

2006-06-20

公开(公告)号：

CN100431097C

公开(公告)日：

2006-12-27

发明(设计)人：

田中善嗣南雅人

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L213065 H01L2167 C23C1600 C23C1400 C23F400 H01J3732 H05H100

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-27	公开	公开
2008-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

上部电极和等离子体处理装置 [P].

林大辅 ;

石田寿文 ;

木村滋利 .

中国专利 :CN1310290C ,2004-12-01

[2]

上部电极构造和等离子体处理装置 [P].

佐藤徹治 .

日本专利 :CN118043945A ,2024-05-14

[3]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

矢幡将二郎 ;

佐藤徹治 .

中国专利 :CN113345787A ,2021-09-03

[4]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

岸宏树 ;

徐智洙 .

中国专利 :CN106920733B ,2017-07-04

[5]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

矢幡将二郎 ;

佐藤徹治 .

日本专利 :CN113345787B ,2025-07-25

[6]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

藤井徹 ;

今田祥友 ;

大槻兴平 .

日本专利 :CN111383899B ,2024-07-12

[7]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

向山广记 ;

户村幕树 ;

木原嘉英 ;

福井信志 .

日本专利 :CN118284956A ,2024-07-02

[8]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

藤井徹 ;

今田祥友 ;

大槻兴平 .

中国专利 :CN111383899A ,2020-07-07

[9]

上部电极和等离子体处理装置 [P].

松山昇一郎 .

中国专利 :CN102647846A ,2012-08-22

[10]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

山岸幸司 ;

白泽大辅 .

中国专利 :CN112992643A ,2021-06-18

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